陶瓷基板厚膜电路加工


产品介绍
陶瓷基板导热系数在23-350w/m·k之间、热膨胀系数低于8ppm/k、击穿电压在6000V/m以上,适合用来制造高压大功率芯片的COB或CSP封装载板。
本产品以微纳米复合金属粉为核心的烧结型铜浆或银浆,通过精密丝印制作陶瓷基板电路。具有图形精度高、高温强度高的特点,电阻率和可靠性俱佳的特点。相对DPC技术方案,制程短、价格低,耐热循环性能好。
产品优势
应用领域
“百炼钢成绕指柔”
材料——是一门千锤百炼的科学
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产品介绍
陶瓷基板导热系数在23-350w/m·k之间、热膨胀系数低于8ppm/k、击穿电压在6000V/m以上,适合用来制造高压大功率芯片的COB或CSP封装载板。
本产品以微纳米复合金属粉为核心的烧结型铜浆或银浆,通过精密丝印制作陶瓷基板电路。具有图形精度高、高温强度高的特点,电阻率和可靠性俱佳的特点。相对DPC技术方案,制程短、价格低,耐热循环性能好。
产品优势

介电系数较小,高频特性好,可以降低信号延迟时间;

热膨胀系数更接近硅,无机基板材料热膨胀系数普遍低于有机基板材料。

耐热性能强,无机基板材料玻璃化温度普遍高于有机基板材料,在热冲击和热循环过程中不易损伤;

热导率高,可以将高集成度封装产生的热量及时排出;

机械强度高,有良好的尺寸稳定性,使元器件安装精度高;

化学稳定性强,在加工过程中能耐酸、碱、有机溶剂的浸蚀,不产生变色、溶胀等特性变化;

绝缘性能好,可靠性高;

介电系数较小,高频特性好,可以降低信号延迟时间;

热膨胀系数更接近硅,无机基板材料热膨胀系数普遍低于有机基板材料。

耐热性能强,无机基板材料玻璃化温度普遍高于有机基板材料,在热冲击和热循环过程中不易损伤;

热导率高,可以将高集成度封装产生的热量及时排出;

机械强度高,有良好的尺寸稳定性,使元器件安装精度高;

化学稳定性强,在加工过程中能耐酸、碱、有机溶剂的浸蚀,不产生变色、溶胀等特性变化;

绝缘性能好,可靠性高;
应用领域


产品特点
陶瓷基板:
• 高于铝基板10倍以上的导热系数,封装大功率芯片;
• 6000V以上击穿电压,降低外置变压成本;
• 比绝大多数有机材料更好的热稳定性;
厚膜浆料:
• 导电性能2.5μΩ·cm,接近纯铜
• 剥离强度5N/mm,是传统MCPCB的6倍
• 界面层CTE可调,1000次冷热循环,350℃热冲击,几乎无衰减
精密丝印:
• 3部完成图形电路制作,工艺成本低
• 导电原料利用率100%,材料用量少
• 干法制程无水体污染
技术参数
基板材料 | ||
氧化铝 | 氮化铝 | |
热膨胀系数 | 6.8 ppm/K | 4.7ppm/K |
导热系数 | 23 w/m·k | 170 w/m·k |
尺寸 | <182X182mm | <120X120mm |
厚度 | 0.25∽1mm | 0.15mm∽0.63mm |
导电材料 | ||
银电路 | 铜电路 | |
电阻率 | 2.5μΩ·cm | 2.5μΩ·cm |
线路分辨率 | 100μm/100μm | 100μm/100μm |
厚度 | 8∽25μm | 8∽25μm |
表面粗糙度 | <0.3μm | <0.3μm |
附着强度 | >5N/mm | >5N/mm |
基板材料 | ||
氧化铝 | 氮化铝 | |
热膨胀系数 | 6.8 ppm/K | 4.7ppm/K |
导热系数 | 23 w/m·k | 170 w/m·k |
尺寸 | <182X182mm | <120X120mm |
厚度 | 0.25∽1mm | 0.15mm∽0.63mm |
导电材料 | ||
银电路 | 铜电路 | |
电阻率 | 2.5μΩ·cm | 2.5μΩ·cm |
线路分辨率 | 100μm/100μm | 100μm/100μm |
厚度 | 8∽25μm | 8∽25μm |
表面粗糙度 | <0.3μm | <0.3μm |
附着强度 | >5N/mm | >5N/mm |
