产品介绍：

玻璃基板具有高结构完整性、低电损耗、抗振动、耐温性和环境耐久性等特点，在半导体封装三维堆叠的芯片结构中，玻璃转接板具有优良的电绝缘性、低廉的制造成本以及良好的工艺兼容性，但是玻璃通孔TGV进行可靠地金属填充具有很大的挑战性。采用传统溅射电镀的孔金属化方案，容易附着力不佳、填铜不饱满等诸多问题。AC米兰(milan·中国)中文官方网站-Official Website新材采用自主开发的铜浆塞孔技术可以实现玻璃基的孔金属化加工，工艺制程简单、填塞饱满、附着力好、成本极低。目前可以稳定实现25~150um玻璃通孔TGV过孔金属化，同时也与激光设备商的深度合作，利用激光诱导深度蚀刻的方法，实现高厚径比的微小玻璃通孔制造。

产品介绍：

陶瓷穿孔互连技术 (TCV，Through r通彻：连 Via)简称TCV，是一种应用于高密度三维封装的 l 新型互连技术。采用传统沉铜电镀的陶瓷基板孔金属化方案，容易出现孔内残液、附着力不佳、填铜不饱满等诸多工艺难点。采用铜浆塞孔的技术实现陶瓷基的孔金属化，工艺制程简单、填塞饱满、附着力好、成本极低。

AC米兰(milan·中国)中文官方网站-Official Website采用微纳米复合铜浆烧结而成，电阻率和可靠性俱佳。通过添加高温粘结剂和特种填料，可以进一步调整孔铜和界面的热膨胀系数，实现高可靠性的孔铜。

产品介绍：

随着芯片中晶体管的数量的增加，硅通孔封装（Through Silicon Via, TSV）的垂直堆叠在半导体器件领域突破了传统二维集成的瓶颈。通过三维集成，硅通孔TSV技术近年来得到了广泛应用 ，其中通孔填充是电阻率和电容的关键过程，但是硅通孔TSV的纵横比很高，普通电镀或溅射由于其物理和化学工艺极限，无法实现完全填充。而且通过溅射和电镀的工艺，硅基板需要经过生长SiO2层，需要通过磁控溅射在具有SiO2层的衬底上沉积由Ti和Cu组成的金属种子层然后再进行电镀，整个流程长，耗时耗电，设备投入大成本高。